英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有1%
时间:2020-02-18

2020年美光三星等公司会推出新一代的DDR5内存♀,最高速率可达6400Mbps,将逐步取代DDR4内存。∈现在的DRAM内存技术还在升级,但是技术瓶颈也日趋明显,研究人员正在寻找新的内存替代技术╨,英国就找到了新方向—&mdashΩ;全新内存延迟可☼低至10ns,功耗仅有现在1%。

多年来人们一直在寻Δ求完美的“内存”芯片,它既需要低延迟、高带宽,也要功耗♣低(不需要频繁刷新),同时还得容量大,成本低◐,更重要的是具备断电不损⊙失数据″的◆特性,可以说是NAND闪存及DRAM内存的к完美体。∝

这么多要求╦╧,做起来可真不容★易,Intel的傲⿻腾内▒存是╪基于PCM相变内存技术的,在可靠性、∶延迟等问题上已经大╥幅领先现在的闪๑存,更接近DRAM内存芯片了,不过超越内存σ还达不到◢。

日前外媒报道称,英国的研究人员找到了一种新型∞的“@内存”,它使用的是III-V族材料,主要是InAs砷¤化铟和AlSЯb锑化铝,用这些材料制成的NVDRAM非易失性内ミ存具备优秀的特性,在同样的性能下开关能量低了100倍,也就是说功耗只有现有DΨRAM内存的▷1%,同时延迟可低∑至10ns。

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总之,这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性——超低功耗、写入不破坏数据、非易失性,其性能相比现在的ⅡDRAM‥内存倒是没多大提升,10ns∴级别的延迟跟DDR4内存♨Ψ差不多,但是上面三条特性◎,尤其是非易失性ξ就足够让“内存”革命了。

不过▲也没法高兴τ♀太┛早,英国研发人员现在只是找到了新一代II★I-V材料内存的理※论方向,真Ↄ正大‖规模制造这种内存还▔是没影的事,就像是像传了很久的MRAM、PCM、RじRAM芯⊙片一样。

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